已验证创建 2026/10/09 更新 2026/10/09

[MTK] MT6789 温控参数调整

一、变更概要

适用平台：MTK MT6789
工程目录：mt8781_s/vendor
配置文件：mediatek/proprietary/external/thermal_core_lib/mt6789/thermal.conf

涉及模块：

[mtk-skin-control]：皮肤温控策略
[charger-cooler]：充电温控策略

修改目的：

提高皮肤温控阈值，延后温控介入时机。
将充电温控阈值统一调整为 58°C。
将充电温控的全部电流档位设置为 0。

二、[mtk-skin-control] 皮肤温控调整

1. 参数变更对比

① min_target_tj：最低目标结温

修改前：55000（55°C）
修改后：60000（60°C）
调整幅度：+5°C

② trip_tpcb：PCB 温控触发阈值

修改前：43000（43°C）
修改后：54000（54°C）
调整幅度：+11°C

③ target_tpcb：PCB 目标控制温度

修改前：46000（46°C）
修改后：58000（58°C）
调整幅度：+12°C

④ max_target_tj：最高目标结温

修改前：85000（85°C）
修改后：85000（85°C）
调整幅度：不变

2. 参数作用说明

min_target_tj：最低目标结温

该参数表示皮肤温控环路允许下调的最低 SoC 目标结温。

将其从 55°C 提高至 60°C 后，即使设备壳温较高，温控策略也不会将目标结温下压至 60°C 以下。

调整影响： 减少温控对 SoC 性能的干预，使整体温控策略更加偏向性能优先。

trip_tpcb：PCB 温控触发阈值

该参数用于控制 PCB 温度达到指定阈值时的温控介入条件。

将触发阈值从 43°C 提高至 54°C，使设备需要达到更高的 PCB 温度才会进入皮肤温控介入区间。

调整影响： 延后温控介入时机，减少因温度升高而提前触发的性能限制。

target_tpcb：PCB 目标控制温度

该参数用于设置 PCB 温控环路的目标温度。

将目标温度从 46°C 提高至 58°C，允许温控策略在更高的 PCB 温度范围内运行。

调整影响： 放宽稳态控温目标，减少温控调节对设备性能的影响。

3. 调整效果

本次修改整体提高了皮肤温控的触发阈值与目标控制温度，使温控策略由相对保守的控制方式调整为更加偏向性能的控制方式。

三、[charger-cooler] 充电温控调整

1. 修改前配置

原配置采用 4 档分级温控限流，根据不同的温度阈值调整充电电流。

threshold  = [40000, 42000, 45000, 56000]  // 40°C / 42°C / 45°C / 56°C
hysteresis = [2000,  2000,  2000,  2000]   // 全部 2°C
current    = [1800,  1000,  500,   0]      // 单位：mA

原始配置说明：

threshold：设置 40°C、42°C、45°C、56°C 四个温控阈值。
hysteresis：各档位温度回滞均为 2°C。
current：对应的电流配置分别为 1800mA、1000mA、500mA、0mA。

2. 修改后配置

将全部温控阈值统一调整为 58°C，同时缩小温度回滞，并将所有电流档位设置为 0。

threshold  = [58000, 58000, 58000, 58000]  // 全部 58°C
hysteresis = [1000,  1000,  1000,  1000]   // 全部 1°C
current    = [0,     0,     0,     0]      // 全部 0mA

3. 参数变更说明

① threshold：充电温控阈值

修改前：40°C / 42°C / 45°C / 56°C
修改后：58°C / 58°C / 58°C / 58°C

调整说明： 将原来的 4 档不同温度阈值统一提高至 58°C。

② hysteresis：温度回滞

修改前：全部为 2000（2°C）
修改后：全部为 1000（1°C）

调整说明： 将温度回滞从 2°C 缩小至 1°C。

③ current：充电电流档位

修改前：1800 / 1000 / 500 / 0mA
修改后：0 / 0 / 0 / 0mA

调整说明： 将原有的分级电流配置统一设置为 0。

四、修改总结

1. 皮肤温控

min_target_tj：55°C → 60°C
trip_tpcb：43°C → 54°C
target_tpcb：46°C → 58°C
max_target_tj：85°C（保持不变）

调整方向： 提高温控阈值，延后温控介入，减少对 SoC 性能的限制。

2. 充电温控

threshold：原 4 档温度统一调整为 58°C。
hysteresis：由 2°C 调整为 1°C。
current：所有档位统一设置为 0。

调整方向： 提高充电温控阈值，统一温控档位参数。